BS IEC 60747-8-2000 分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
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时间:2024-05-17 06:38:19
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【英文标准名称】:Discretesemiconductordevicesandintegratedcircuits-Field-effecttransistors-Additionalratingsandcharacteristicsandamdsinthemeasuringmethodsforpowerswitchingfieldeffecttransistors
【原文标准名称】:分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
【标准号】:BSIEC60747-8-2000
【标准状态】:作废
【国别】:英国
【发布日期】:2001-06-15
【实施或试行日期】:2001-06-15
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:分立器件;符号;屏障层;漏电流;绝缘层;半导体;场效应晶体管;晶体管;大门;作标记;定义;规范(验收);电气工程;测量;极限(数学);测量技术;元部件;额定值;检验;电子工程;半导体器件;电子设备及元件;集成电路
【英文主题词】:Barrierslayers;Components;Definition;Definitions;Discretedevices;Draincurrent;Electricalengineering;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Field-effecttransistors;Gates;Inspection;Insulatinglayers;Integratedcircuits;Limits(mathematics);Marking;Measurement;Measuringtechniques;Ratings;Semiconductordevices;Semiconductors;Specification(approval);Symbols;Transistors
【摘要】:TobereadinconjunctionwithIEC60747-1
【中国标准分类号】:L44
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:72P.;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:分立半导体器件和集成电路.场效应晶体管.电源转换场效应晶体管测量方法中附加功率、特性和amds
【标准号】:BSIEC60747-8-2000
【标准状态】:作废
【国别】:英国
【发布日期】:2001-06-15
【实施或试行日期】:2001-06-15
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:分立器件;符号;屏障层;漏电流;绝缘层;半导体;场效应晶体管;晶体管;大门;作标记;定义;规范(验收);电气工程;测量;极限(数学);测量技术;元部件;额定值;检验;电子工程;半导体器件;电子设备及元件;集成电路
【英文主题词】:Barrierslayers;Components;Definition;Definitions;Discretedevices;Draincurrent;Electricalengineering;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Field-effecttransistors;Gates;Inspection;Insulatinglayers;Integratedcircuits;Limits(mathematics);Marking;Measurement;Measuringtechniques;Ratings;Semiconductordevices;Semiconductors;Specification(approval);Symbols;Transistors
【摘要】:TobereadinconjunctionwithIEC60747-1
【中国标准分类号】:L44
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:72P.;A4
【正文语种】:英语
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